ON Semiconductor - FDA16N50-F109

KEY Part #: K6417406

FDA16N50-F109 価格設定(USD) [30167個在庫]

  • 1 pcs$1.36617

品番:
FDA16N50-F109
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDA16N50-F109 electronic components. FDA16N50-F109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDA16N50-F109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDA16N50-F109 製品の属性

品番 : FDA16N50-F109
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P
シリーズ : UniFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 380 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1945pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 205W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

あなたも興味があるかもしれません
  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • FQD5P20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK.

  • IRFR6215TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK12A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS.

  • R5016ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM.

  • IXKP13N60C5M

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP.