メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
100A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.7V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
360nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
15000pF @ 30V
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P(L)