FQB11N40CTM 価格設定（USD） [103241個在庫]
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- 品番:
- FQB11N40CTM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQB11N40CTM electronic components. FQB11N40CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB11N40CTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB11N40CTM 製品の属性
品番 :
FQB11N40CTM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
400V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
530 mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1090pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
135W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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