SIB417EDK-T1-GE3 価格設定（USD） [211203個在庫]
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- 品番:
- SIB417EDK-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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SIB417EDK-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIB417EDK-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
58 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs（最大） :
±5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
565pF @ 4V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-75-6L Single
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-75-6L
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