Infineon Technologies - FF45MR12W1M1B11BOMA1

KEY Part #: K6522850

FF45MR12W1M1B11BOMA1 価格設定(USD) [1544個在庫]

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品番:
FF45MR12W1M1B11BOMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET MODULE 1200V 50A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF45MR12W1M1B11BOMA1 製品の属性

品番 : FF45MR12W1M1B11BOMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET MODULE 1200V 50A
シリーズ : CoolSiC™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Tj)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.55V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 62nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1840pF @ 800V
パワー-最大 : 20mW (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : AG-EASY1BM-2

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