SIR424DP-T1-GE3 価格設定（USD） [211203個在庫]
- 1 pcs$0.17513
- 3,000 pcs$0.16445
- 品番:
- SIR424DP-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIR424DP-T1-GE3 electronic components. SIR424DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR424DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIR424DP-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIR424DP-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1250pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IPC90R500C3X1SA1
- BUK9214-80EJ
- GP1M004A090H
- IPD122N10N3GBTMA1
- IXFR55N50
- IRFH5303TRPBF
- IPB90N06S4L04ATMA1
- RSS100N03FU6TB
- TPCC8003-H(TE12LQM
- NTLUS3192PZTBG
- SI3853DV-T1-E3
- NTF3055L175T3G
- 2SK2963(TE12L,F)
- ZXMN6A08E6TC
- ZXM64N03XTC
- FDD3580
- NVHL040N65S3F
- FDS3612
- IPW60R055CFD7XKSA1
- FDS7096N3
- IRFSL3207
- NP90N055MUK-S18-AY
- AUIRF4104S
- IPP05N03LA
- IRFR024
- IRFL210TR
- STI5N52U
- IXTH6N90
- STD130N4F6AG
- AUIRF1018E
- STD150N3LLH6
- IRFI7446GPBF
- AUIRFU540Z
- IRFH5210TRPBF
- SQS460EN-T1_GE3
- RQ3E150MNTB1
- TJ15S06M3L(T6L1,NQ
- TK3P50D,RQ(S
- IPN70R1K0CEATMA1
- SISC185N06LX1SA1