Diodes Incorporated - DMT6016LPS-13

KEY Part #: K6415748

DMT6016LPS-13 価格設定(USD) [340920個在庫]

  • 1 pcs$0.10849
  • 2,500 pcs$0.09710

品番:
DMT6016LPS-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6016LPS-13 electronic components. DMT6016LPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6016LPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6016LPS-13 製品の属性

品番 : DMT6016LPS-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 864pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.23W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI5060-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86380-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 50A DPAK.

  • FQD3P50TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • FDD5690

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK.

  • RFD14N05SM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 14A DPAK.

  • FDD86113LZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.

  • FDD6637

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 35V 13A DPAK.