メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
20A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
170 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.7V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
48nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1680pF @ 300V
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-DFN-EP (8x8)
パッケージ/ケース :
4-VSFN Exposed Pad