IXYS - IXTH12N150

KEY Part #: K6394917

IXTH12N150 価格設定(USD) [9758個在庫]

  • 1 pcs$4.66879
  • 30 pcs$4.64556

品番:
IXTH12N150
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTH12N150 electronic components. IXTH12N150 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH12N150, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH12N150 製品の属性

品番 : IXTH12N150
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3720pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 890W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース : TO-247-3