CSD16411Q3 価格設定（USD） [269863個在庫]
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- 品番:
- CSD16411Q3
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD16411Q3 electronic components. CSD16411Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD16411Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD16411Q3 製品の属性
品番 :
CSD16411Q3
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
14A (Ta), 56A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.8nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
+16V, -12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
570pF @ 12.5V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.7W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-VSON (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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