Infineon Technologies - IPA040N06NXKSA1

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IPA040N06NXKSA1 価格設定(USD) [63323個在庫]

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品番:
IPA040N06NXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA040N06NXKSA1 製品の属性

品番 : IPA040N06NXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 60V TO220-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 69A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4 mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.3V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3375pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 36W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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