EPC - EPC8009

KEY Part #: K6403216

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

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品番 : EPC8009

メーカー : EPC

説明 : GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE

シリーズ : eGaN®

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : GaNFET (Gallium Nitride)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 65V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.7A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 130 mOhm @ 500mA, 5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 0.45nC @ 5V

Vgs（最大） : +6V, -4V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 52pF @ 32.5V

FET機能 : -

消費電力（最大） : -

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : Die

パッケージ/ケース : Die

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