[2617個在庫]
- 品番:
- GP1M009A020PG
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 9A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP1M009A020PG electronic components. GP1M009A020PG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M009A020PG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP1M009A020PG 製品の属性
品番 :
GP1M009A020PG
メーカー :
Global Power Technologies Group
説明 :
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
414pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
52W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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