C3M0120100J 価格設定（USD） [10187個在庫]
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- 100 pcs$7.31421
- 250 pcs$6.67819
- 品番:
- C3M0120100J
- メーカー:
- Cree/Wolfspeed
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C3M0120100J electronic components. C3M0120100J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3M0120100J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C3M0120100J 製品の属性
品番 :
C3M0120100J
メーカー :
Cree/Wolfspeed
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
シリーズ :
C3M™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
15V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 3mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
21.5nC @ 15V
Vgs（最大） :
+15V, -4V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
350pF @ 600V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
83W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK-7
パッケージ/ケース :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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