SIR624DP-T1-GE3 価格設定（USD） [164336個在庫]
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- 品番:
- SIR624DP-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIR624DP-T1-GE3 electronic components. SIR624DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR624DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIR624DP-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIR624DP-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 200V 18.6A SO-8
シリーズ :
ThunderFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
7.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23nC @ 7.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1110pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
52W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8
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