RCD041N25TL 価格設定（USD） [407677個在庫]
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- 品番:
- RCD041N25TL
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 250V 4A CPT3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RCD041N25TL electronic components. RCD041N25TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RCD041N25TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RCD041N25TL 製品の属性
品番 :
RCD041N25TL
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1300 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
350pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
850mW (Ta), 20W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
CPT3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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