FDN537N 価格設定（USD） [457093個在庫]
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- 品番:
- FDN537N
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDN537N electronic components. FDN537N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN537N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDN537N 製品の属性
品番 :
FDN537N
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
23 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
465pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SuperSOT-3
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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