Vishay Siliconix - SIA813DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6394333

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品番:
SIA813DJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA813DJ-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIA813DJ-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
シリーズ : LITTLE FOOT®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 355pF @ 10V
FET機能 : Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) : 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Dual
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6 Dual

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