IXYS - IXFN110N60P3

KEY Part #: K6399087

IXFN110N60P3 価格設定(USD) [3606個在庫]

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  • 10 pcs$12.77411
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品番:
IXFN110N60P3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN110N60P3 製品の属性

品番 : IXFN110N60P3
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
シリーズ : HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 56 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 245nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 18000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1500W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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