Infineon Technologies - IPZ65R095C7XKSA1

KEY Part #: K6416757

IPZ65R095C7XKSA1 価格設定(USD) [18330個在庫]

  • 1 pcs$2.50942
  • 240 pcs$2.49693

品番:
IPZ65R095C7XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V TO247-4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPZ65R095C7XKSA1 electronic components. IPZ65R095C7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPZ65R095C7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ65R095C7XKSA1 製品の属性

品番 : IPZ65R095C7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V TO247-4
シリーズ : CoolMOS™ C7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 590µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2140pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 128W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-4
パッケージ/ケース : TO-247-4

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.