IRFS4010TRLPBF 価格設定（USD） [33940個在庫]
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- 800 pcs$0.82790
- 品番:
- IRFS4010TRLPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFS4010TRLPBF electronic components. IRFS4010TRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS4010TRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFS4010TRLPBF 製品の属性
品番 :
IRFS4010TRLPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
180A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.7 mOhm @ 106A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
215nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9575pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
375W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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