Infineon Technologies - IRFSL7437PBF

KEY Part #: K6398408

IRFSL7437PBF 価格設定(USD) [42703個在庫]

  • 1 pcs$0.87801
  • 10 pcs$0.79439
  • 100 pcs$0.63827
  • 500 pcs$0.49643
  • 1,000 pcs$0.41133

品番:
IRFSL7437PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N CH 40V 195A TO-262.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFSL7437PBF electronic components. IRFSL7437PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL7437PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFSL7437PBF 製品の属性

品番 : IRFSL7437PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N CH 40V 195A TO-262
シリーズ : HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 195A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7330pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 230W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-262
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • SPA04N80C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP.

  • RCX220N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 22A TO220.

  • TK20A60W,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS.

  • R6009ENX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220.