Infineon Technologies - IPZ60R099C7XKSA1

KEY Part #: K6398126

IPZ60R099C7XKSA1 価格設定(USD) [12501個在庫]

  • 1 pcs$3.37135
  • 10 pcs$3.00954
  • 100 pcs$2.46796
  • 500 pcs$1.99843
  • 1,000 pcs$1.68543

品番:
IPZ60R099C7XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPZ60R099C7XKSA1 electronic components. IPZ60R099C7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPZ60R099C7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ60R099C7XKSA1 製品の属性

品番 : IPZ60R099C7XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
シリーズ : CoolMOS™ C7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 490µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1819pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 110W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-4
パッケージ/ケース : TO-247-4

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.