Infineon Technologies - IRF9362TRPBF

KEY Part #: K6524943

IRF9362TRPBF 価格設定(USD) [220599個在庫]

  • 1 pcs$0.16767
  • 4,000 pcs$0.15349

品番:
IRF9362TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRF9362TRPBF electronic components. IRF9362TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9362TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9362TRPBF 製品の属性

品番 : IRF9362TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.4V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 39nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1300pF @ 25V
パワー-最大 : 2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

あなたも興味があるかもしれません
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • FDY4000CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC89-6.

  • ZXMN3AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP.

  • SI6926ADQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.