ZXMN10A08GTA 価格設定（USD） [284761個在庫]
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- 品番:
- ZXMN10A08GTA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 2A SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A08GTA electronic components. ZXMN10A08GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A08GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN10A08GTA 製品の属性
品番 :
ZXMN10A08GTA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
405pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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