Vishay Siliconix - IRLZ24STRR

KEY Part #: K6413998

[8389個在庫]


    品番:
    IRLZ24STRR
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix IRLZ24STRR electronic components. IRLZ24STRR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLZ24STRR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLZ24STRR 製品の属性

    品番 : IRLZ24STRR
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 10A, 5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 18nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 870pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 3.7W (Ta), 60W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5803TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5802

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP.

    • IRFR4105ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR3711ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 93A DPAK.

    • IRLR8503TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRLR8503TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.