AOB4S60L 価格設定（USD） [132334個在庫]
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- 800 pcs$0.26721
- 品番:
- AOB4S60L
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB4S60L electronic components. AOB4S60L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AOB4S60L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AOB4S60L 製品の属性
品番 :
AOB4S60L
メーカー :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
シリーズ :
aMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
263pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
83W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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