Infineon Technologies - IRL530NSTRRPBF

KEY Part #: K6420000

IRL530NSTRRPBF 価格設定(USD) [150636個在庫]

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品番:
IRL530NSTRRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL530NSTRRPBF 製品の属性

品番 : IRL530NSTRRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 34nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 79W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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