STMicroelectronics - STPLED627

KEY Part #: K6418938

STPLED627 価格設定(USD) [83762個在庫]

  • 1 pcs$0.46914
  • 1,000 pcs$0.46681

品番:
STPLED627
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 620V 7A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STPLED627 electronic components. STPLED627 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STPLED627, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STPLED627 製品の属性

品番 : STPLED627
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 620V 7A TO-220
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 620V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 890pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 90W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • AUIRFR4620TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK.

  • AUIRFR8405TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.