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- 品番:
- IPU60R2K0C6BKMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPU60R2K0C6BKMA1 electronic components. IPU60R2K0C6BKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPU60R2K0C6BKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPU60R2K0C6BKMA1 製品の属性
品番 :
IPU60R2K0C6BKMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 60µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
140pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
22.3W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO251-3
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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