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- 品番:
- SPB80N10L G
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SPB80N10L G electronic components. SPB80N10L G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPB80N10L G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPB80N10L G 製品の属性
品番 :
SPB80N10L G
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14 mOhm @ 58A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
240nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4540pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
250W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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