IXTN120P20T 価格設定（USD） [2564個在庫]
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- 20 pcs$17.60239
- 品番:
- IXTN120P20T
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTN120P20T electronic components. IXTN120P20T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN120P20T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTN120P20T 製品の属性
品番 :
IXTN120P20T
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
シリーズ :
TrenchP™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
106A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
740nC @ 10V
Vgs（最大） :
±15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
73000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
830W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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