Infineon Technologies - IRLHM630TRPBF

KEY Part #: K6420452

IRLHM630TRPBF 価格設定(USD) [195650個在庫]

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品番:
IRLHM630TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLHM630TRPBF 製品の属性

品番 : IRLHM630TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.1V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 62nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3170pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.7W (Ta), 37W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PQFN (3x3)
パッケージ/ケース : 8-VQFN Exposed Pad

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