Infineon Technologies - IPI80N08S406AKSA1

KEY Part #: K6418379

IPI80N08S406AKSA1 価格設定(USD) [61102個在庫]

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品番:
IPI80N08S406AKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH TO262-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI80N08S406AKSA1 製品の属性

品番 : IPI80N08S406AKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH TO262-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 90µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 150W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3-1
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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