メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
85 mOhm @ 1.5A, 4V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 1mA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
270pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ :
ES6 (1.6x1.6)
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666