SQ1470AEH-T1_GE3 価格設定（USD） [431769個在庫]
- 1 pcs$0.08567
- 3,000 pcs$0.07283
- 品番:
- SQ1470AEH-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ1470AEH-T1_GE3 electronic components. SQ1470AEH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1470AEH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ1470AEH-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQ1470AEH-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
65 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.2nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
450pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.3W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-363, SC70
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK9C5R3-100EJ
- AON6758_103
- 2SK4066-DL-1EX
- IPB65R065C7ATMA1
- IXFN64N50PD2
- GP1M008A025FG
- AON6370_002
- AON6244
- NTD23N03RT4G
- IRL3715ZCSTRRP
- IPS20N03L G
- IPP07N03LB G
- BUZ31L
- BSS119 E6433
- IXTH30N50
- BS250PSTOB
- AO4430L_102
- NTZS3151PT1H
- NTMSD3P102R2
- IPD05N03LA G
- HUFA75343S3S
- IRLR2905TRR
- IRFR1N60ATR
- IPW60R075CPAFKSA1
- IRLU3103
- STD8NM60N
- STS9NF30L
- IPT043N15N5ATMA1
- AUIRF4905STRL
- IPB80N06S2L07ATMA3
- IRF6775MTRPBF
- PSMN6R9-100YSFQ
- IRF6892STRPBF
- IRF9Z34NSTRRPBF
- BUK663R5-30C,118
- SI5403DC-T1-GE3
- BSF035NE2LQXUMA1
- IRF7807VTRPBF
- SIR836DP-T1-GE3
- IPD50R650CEAUMA1