Vishay Siliconix - SQ1470AEH-T1_GE3

KEY Part #: K6421302

SQ1470AEH-T1_GE3 価格設定(USD) [431769個在庫]

  • 1 pcs$0.08567
  • 3,000 pcs$0.07283

品番:
SQ1470AEH-T1_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SQ1470AEH-T1_GE3 electronic components. SQ1470AEH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1470AEH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ1470AEH-T1_GE3 製品の属性

品番 : SQ1470AEH-T1_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5.2nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 450pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.3W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-363, SC70
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

あなたも興味があるかもしれません