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- 品番:
- IPB100N06S3L-03
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB100N06S3L-03 electronic components. IPB100N06S3L-03 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB100N06S3L-03, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB100N06S3L-03 製品の属性
品番 :
IPB100N06S3L-03
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 230µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
550nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
26240pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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