STD80N4F6 価格設定（USD） [97953個在庫]
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- 品番:
- STD80N4F6
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 80A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STD80N4F6 electronic components. STD80N4F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD80N4F6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD80N4F6 製品の属性
品番 :
STD80N4F6
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2150pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
70W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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