Rohm Semiconductor - SP8M51FRATB

KEY Part #: K6522017

SP8M51FRATB 価格設定(USD) [134137個在庫]

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品番:
SP8M51FRATB
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
4V DRIVE NCHPCH MOSFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SP8M51FRATB 製品の属性

品番 : SP8M51FRATB
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : 4V DRIVE NCHPCH MOSFET
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
パワー-最大 : 2W
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP