Infineon Technologies - IRLB4132PBF

KEY Part #: K6403683

IRLB4132PBF 価格設定(USD) [88227個在庫]

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品番:
IRLB4132PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 78A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLB4132PBF 製品の属性

品番 : IRLB4132PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 78A TO220
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 78A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 54nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5110pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 140W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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