IXYS - IXFN150N15

KEY Part #: K6408929

[458個在庫]


    品番:
    IXFN150N15
    メーカー:
    IXYS
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in IXYS IXFN150N15 electronic components. IXFN150N15 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN150N15, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFN150N15 製品の属性

    品番 : IXFN150N15
    メーカー : IXYS
    説明 : MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
    シリーズ : HiPerFET™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 150A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12.5 mOhm @ 75A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 8mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 360nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9100pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 600W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B
    パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

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