AONR21307 価格設定（USD） [377863個在庫]
- 1 pcs$0.09789
- 品番:
- AONR21307
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21307 electronic components. AONR21307 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AONR21307, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AONR21307 製品の属性
品番 :
AONR21307
メーカー :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
説明 :
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
24A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11 mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1995pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W (Ta), 28W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN-EP (3x3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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