ON Semiconductor - NVMFS4C01NWFT3G

KEY Part #: K6419014

NVMFS4C01NWFT3G 価格設定(USD) [87513個在庫]

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品番:
NVMFS4C01NWFT3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS4C01NWFT3G 製品の属性

品番 : NVMFS4C01NWFT3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 49A (Ta), 319A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 139nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10144pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.84W (Ta), 161W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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