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- 品番:
- SI1058X-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V SC89.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1058X-T1-GE3 electronic components. SI1058X-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1058X-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1058X-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI1058X-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 20V SC89
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
91 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.55V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.9nC @ 5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
380pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
236mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-89-6
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
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