STMicroelectronics - STD12N65M2

KEY Part #: K6419518

STD12N65M2 価格設定(USD) [116005個在庫]

  • 1 pcs$0.31884
  • 2,500 pcs$0.28383

品番:
STD12N65M2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STD12N65M2 electronic components. STD12N65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD12N65M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD12N65M2 製品の属性

品番 : STD12N65M2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
シリーズ : MDmesh™ M2
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 535pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 85W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません