IXYS - IXT-1-1N100S1

KEY Part #: K6411619

IXT-1-1N100S1 価格設定(USD) [8510個在庫]

  • 1 pcs$5.59712
  • 94 pcs$5.56928

品番:
IXT-1-1N100S1
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXT-1-1N100S1 electronic components. IXT-1-1N100S1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXT-1-1N100S1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXT-1-1N100S1 製品の属性

品番 : IXT-1-1N100S1
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : -
サプライヤーデバイスパッケージ : -
パッケージ/ケース : -

あなたも興味があるかもしれません