説明 :
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
350mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
1nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
23.6pF @ 10V
消費電力(最大) :
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1006B-3