Infineon Technologies - IRLS3036PBF

KEY Part #: K6407087

[1094個在庫]


    品番:
    IRLS3036PBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRLS3036PBF electronic components. IRLS3036PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLS3036PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLS3036PBF 製品の属性

    品番 : IRLS3036PBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 195A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.4 mOhm @ 165A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 140nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±16V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 11210pF @ 50V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 380W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません