Infineon Technologies - IPI075N15N3GXKSA1

KEY Part #: K6398078

IPI075N15N3GXKSA1 価格設定(USD) [14773個在庫]

  • 1 pcs$2.56047
  • 10 pcs$2.28591
  • 100 pcs$1.87456
  • 500 pcs$1.51794
  • 1,000 pcs$1.28019

品番:
IPI075N15N3GXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPI075N15N3GXKSA1 electronic components. IPI075N15N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI075N15N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI075N15N3GXKSA1 製品の属性

品番 : IPI075N15N3GXKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 8V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 270µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5470pF @ 75V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.