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- 品番:
- PMT200EN,115
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PMT200EN,115 electronic components. PMT200EN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMT200EN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMT200EN,115 製品の属性
品番 :
PMT200EN,115
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
235 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
475pF @ 80V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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